IPI65R190C6XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI65R190C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 151 W
极性 N-CH
耗散功率 151W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1620pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPI65R190C6XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPI65R190C6XKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI65R190C6XKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | 搜索库存 |
替代型号IPI65R190C6XKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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