SPI20N65C3
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPI20N65C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
极性 N-CH
输入电容 2.40 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 4.5 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPI20N65C3引脚图与封装图
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在线购买SPI20N65C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPI20N65C3 | Infineon 英飞凌 | 新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated | 搜索库存 |
替代型号SPI20N65C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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