锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DS1270W-150#、DS1270W-100#、DS1270W-100IND#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270W-150# DS1270W-100# DS1270W-100IND#

描述 Ic Nvsram 16Mbit 150ns 36dip - Ds1270w-150Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

安装方式 - Through Hole Through Hole

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 - 100 ns 100 ns

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅