DS1270W-100#
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS1270W-100#中文资料参数规格
技术参数
存取时间 100 ns
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 EDIP-36
外形尺寸
封装 EDIP-36
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
DS1270W-100#引脚图与封装图 
DS1270W-100#引脚图
DS1270W-100#封装焊盘图
在线购买DS1270W-100#
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1270W-100# | Maxim Integrated 美信 | Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36 | 搜索库存 |
替代型号DS1270W-100#
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1270W-100# 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： EDIP-36 | 当前型号 | Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36 | 当前型号 |
| 型号： DS1270W-100 品牌： 美信 封装： MOD 2000000B 3.3V 100ns 36Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP | DS1270W-100#和DS1270W-100的区别 |
| 型号： DS1270W-100IND 品牌： 美信 封装： MOD 16000000B 3.3V 100ns 36Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP | DS1270W-100#和DS1270W-100IND的区别 |