DS1270W-100IND#

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 16Mb（2M x 8）并联 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

DS1270W-100IND#中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准无铅

DS1270W-100IND#引脚图与封装图

DS1270W-100IND#引脚图

DS1270W-100IND#封装图

DS1270W-100IND#封装焊盘图

在线购买DS1270W-100IND#

型号	制造商	描述	购买
DS1270W-100IND#	Maxim Integrated 美信	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36	搜索库存

替代型号DS1270W-100IND#

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1270W-100IND# 品牌： Maxim Integrated 美信封装： EDIP-36	当前型号	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36	当前型号
型号： DS1270W-100 品牌：美信封装： MOD 2000000B 3.3V 100ns 36Pin	完全替代	IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP	DS1270W-100IND#和DS1270W-100的区别
型号： DS1270W-100# 品牌：美信封装： EDIP-36	完全替代	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36	DS1270W-100IND#和DS1270W-100#的区别
型号： DS1270W-100IND 品牌：美信封装： MOD 16000000B 3.3V 100ns 36Pin	完全替代	IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP	DS1270W-100IND#和DS1270W-100IND的区别