IRFS250B、SPP21N10、RSD200N10TL对比区别

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型号 IRFS250B SPP21N10 RSD200N10TL

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorCPT N-CH 100V 20A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Surface Mount

封装 TO-3 TO-220-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 21.0 A -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 90 W 20W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 21.3A 21A 20A

上升时间 - 56 ns 61 ns

输入电容(Ciss) - 865pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 90 W 20 W

下降时间 - 23 ns 193 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 90W (Tc) 20W (Tc)

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

封装 TO-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free