SPP21N10
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPP21N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 21.0 A
极性 N-CH
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 865pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPP21N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPP21N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPP21N10 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 100V 21A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： NTD6415ANLT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 N-Channel 100V 23A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | SPP21N10和NTD6415ANLT4G的区别 |
| 型号： FDD3690 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 22A 64mohms 1.51nF | 功能相似 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | SPP21N10和FDD3690的区别 |
| 型号： RSD200N10TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-252-3 N-CH 100V 20A | 功能相似 | CPT N-CH 100V 20A | SPP21N10和RSD200N10TL的区别 |