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JANTX2N6284、JANTX2N6306、2N6284G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6284 JANTX2N6306 2N6284G

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORTrans Npn 250V 8A To3ON SEMICONDUCTOR  2N6284G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

极性 NPN - NPN

耗散功率 175 W 125 W 160 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 250 V 100 V

集电极最大允许电流 20A - 20A

最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V 15 @3A, 5V 750 @10A, 3V

额定功率(Max) 175 W 125 W 160 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 175000 mW 125000 mW 160000 mW

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 20.0 A

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 20 A

针脚数 - - 3

最大电流放大倍数(hFE) - - 18000

直流电流增益(hFE) - - 100

输入电压 - - 5 V

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99