
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 5V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
封装 TO-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
JANTX2N6306 | Microsemi 美高森美 | Trans Npn 250V 8A To3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: JANTX2N6306 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-3 | 当前型号 | Trans Npn 250V 8A To3 | 当前型号 | |
型号: JANTX2N6284 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN 175000mW | 类似代替 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N6306和JANTX2N6284的区别 | |
型号: JANTX2N6277 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN 250000mW | 类似代替 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N6306和JANTX2N6277的区别 | |
型号: 2N6284G 品牌: 安森美 封装: TO-3 NPN 100V 20A 160000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6284G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新 | JANTX2N6306和2N6284G的区别 |