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JANTX2N6306

JANTX2N6306

数据手册.pdf

Trans Npn 250V 8A To3

FEATURES: ? NPN POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/498


艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 125000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 125000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


JANTX2N6306中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 5V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTX2N6306引脚图与封装图
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替代型号JANTX2N6306
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N6306

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-3

当前型号

Trans Npn 250V 8A To3

当前型号

型号: JANTX2N6284

品牌: 美高森美

封装: TO-3 NPN 175000mW

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