IRLR2905Z
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLR2905Z中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 60A
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRLR2905Z引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRLR2905Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLR2905Z 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 55V 60A | 当前型号 | DPAK N-CH 55V 60A | 当前型号 |
| 型号： IRLR2905TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 42A | 类似代替 | INFINEON IRLR2905TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V | IRLR2905Z和IRLR2905TRPBF的区别 |
| 型号： IRLR2905ZTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 55V 60A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRLR2905Z和IRLR2905ZTRPBF的区别 |
| 型号： IRLR2905ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 60A | 类似代替 | INFINEON IRLR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V | IRLR2905Z和IRLR2905ZPBF的区别 |