CY7C1318KV18-300BZXC、CY7C1318KV18-333BZC对比区别

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型号 CY7C1318KV18-300BZXC CY7C1318KV18-333BZC

描述 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 LBGA-165

存取时间 - 1 ms

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead