CY7C1318KV18-333BZC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1318KV18-333BZC中文资料参数规格
技术参数
存取时间 1 ms
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 LBGA-165
外形尺寸
封装 LBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C1318KV18-333BZC引脚图与封装图 
CY7C1318KV18-333BZC引脚图
CY7C1318KV18-333BZC封装图
CY7C1318KV18-333BZC封装焊盘图
在线购买CY7C1318KV18-333BZC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1318KV18-333BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1318KV18-333BZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1318KV18-333BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 当前型号 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1318KV18-300BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 完全替代 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1318KV18-333BZC和CY7C1318KV18-300BZXC的区别 |