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CY7C1318KV18-300BZXC

CY7C1318KV18-300BZXC

数据手册.pdf

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1318KV18-300BZXC


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1318KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1318KV18-300BZXC引脚图与封装图
CY7C1318KV18-300BZXC引脚图

CY7C1318KV18-300BZXC引脚图

在线购买CY7C1318KV18-300BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1318KV18-300BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1318KV18-300BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1318KV18-300BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA-165

当前型号

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1318KV18-333BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

完全替代

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

CY7C1318KV18-300BZXC和CY7C1318KV18-333BZC的区别