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BC487BG、BC489AZL1G、BC639-10-AP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC487BG BC489AZL1G BC639-10-AP

描述 大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN SiliconTO-92 NPN 80V 0.5ASmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 60.0 V 80.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 2V 100 @100mA, 2V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

耗散功率 - 625 mW 1 W

增益频宽积 - 200 MHz -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

频率 - - 100 MHz

耗散功率(Max) - - 1000 mW

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99