
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC489AZL1G | ON Semiconductor 安森美 | TO-92 NPN 80V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC489AZL1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 80V 500mA | 当前型号 | TO-92 NPN 80V 0.5A | 当前型号 | |
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型号: BC487BG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 60V 500mA | 功能相似 | 大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon | BC489AZL1G和BC487BG的区别 | |
型号: BC639-10-AP 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A IC, 80V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | BC489AZL1G和BC639-10-AP的区别 |