FDA18N50、STP55NF06、STD15NF10T4对比区别
型号 FDA18N50 STP55NF06 STD15NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-252-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.015 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 239 W 30 W 70 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
输入电容 2.86 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 500 V 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 50.0 A 23.0 A
上升时间 165 ns 50 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 239 W 110 W 70 W
下降时间 90 ns 15 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 239 W 110W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V 100 V
额定电流 - 50.0 A 23.0 A
额定功率 - 110 W -
长度 15.8 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 5 mm 4.6 mm 6.2 mm
高度 18.9 mm 9.15 mm 2.4 mm
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -