FDA18N50
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDA18N50中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.22 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 239 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.86 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 2860pF @25VVds
额定功率Max 239 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 239 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDA18N50引脚图与封装图
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在线购买FDA18N50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDA18N50 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDA18N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDA18N50 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 500V 19A 265mohms 2.86nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDA18N50和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDA18N50和STP80NF10的区别 |
| 型号： STW12NK90Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V | FDA18N50和STW12NK90Z的区别 |