STW11NK90Z、STW12NK95Z、2SK3878(F)对比区别

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型号 STW11NK90Z STW12NK95Z 2SK3878(F)

描述 STMICROELECTRONICS  STW11NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 VTOSHIBA  2SK3878(F)  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.82 Ω 0.69 Ω 1.3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 230 W 150 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 900 V 950 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 9.2A 10.0 A 9.00 A

上升时间 19 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 230 W -

下降时间 50 ns 55 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 230W (Tc) 150 W

额定电压(DC) - 950 V -

额定电流 - 10.0 A -

通道数 - 1 -

输入电容 - 3500 pF -

栅电荷 - 113 nC -

漏源击穿电压 - 950 V -

栅源击穿电压 - 30.0 V -

长度 15.75 mm 15.75 mm 15.9 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 4.8 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 19 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -