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STW12NK95Z

STW12NK95Z

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STMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V

The is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST"s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.

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Extremely high dV/dt capability
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100% Avalanche tested
STW12NK95Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 950 V

额定电流 10.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.69 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 3500 pF

栅电荷 113 nC

漏源极电压Vds 950 V

漏源击穿电压 950 V

栅源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW12NK95Z引脚图与封装图
STW12NK95Z引脚图

STW12NK95Z引脚图

在线购买STW12NK95Z
型号 制造商 描述 购买
STW12NK95Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STW12NK95Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW12NK95Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 950V 10A 690mΩ 3.5nF

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STW11NK90Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 9.2A

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品牌： 美高森美

封装： TO-247 N-CH 1kV 14A 3.97nF

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