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STW11NK90Z

STW11NK90Z

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW11NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK90Z, 9.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW11NK90Z 系列 900 V 980 mOhm N 沟道 SuperMESH™ 功率 Mosfet - TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247


STW11NK90Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.82 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 9.2A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

STW11NK90Z引脚图与封装图
STW11NK90Z引脚图

STW11NK90Z引脚图

STW11NK90Z封装焊盘图

STW11NK90Z封装焊盘图

在线购买STW11NK90Z
型号 制造商 描述 购买
STW11NK90Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW11NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STW11NK90Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW11NK90Z

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 900V 9.2A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW11NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: STW12NK95Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 950V 10A 690mΩ 3.5nF

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型号: 2SK3878F

品牌: 东芝

封装: TO N-Channel 9A

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型号: IXFH12N90

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247AD N-Channel 900V 12A 1.1Ω

功能相似

TO-247AD N-CH 900V 12A

STW11NK90Z和IXFH12N90的区别