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M29DW323DB70ZE6E、M29W320DB70ZE6E、M29DW323DB70ZE6F TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29DW323DB70ZE6E M29W320DB70ZE6E M29DW323DB70ZE6F TR

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA TrayNOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA TrayIC FLASH 32Mbit 70NS 48TFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 48 48 -

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48

安装方式 Surface Mount - -

位数 8, 16 8, 16 -

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

存取时间 70 ns - -

内存容量 4000000 B - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -