M29DW323DB70ZE6E

Micron(镁光) 电子元器件分类

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray

FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb（4M x 8，2M x 16）并联 70 ns 48-TFBGA（6x8）

得捷:
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA

艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32M-bit 4M x 8/2M x 16 70ns Automotive 48-Pin TFBGA Tray

Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32M-bit 4M x 8/2M x 16 70ns 48-Pin TFBGA Tray

Win Source:
IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA

M29DW323DB70ZE6E中文资料参数规格

技术参数

位数 8, 16

存取时间 70 ns

内存容量 4000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

M29DW323DB70ZE6E引脚图与封装图

M29DW323DB70ZE6E引脚图

M29DW323DB70ZE6E封装图

M29DW323DB70ZE6E封装焊盘图

在线购买M29DW323DB70ZE6E

型号	制造商	描述	购买
M29DW323DB70ZE6E	Micron 镁光	NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray	搜索库存

替代型号M29DW323DB70ZE6E

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： M29DW323DB70ZE6E 品牌： Micron 镁光封装： 48-TFBGA 4000000B 48Pin	当前型号	NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray	当前型号
型号： M29W320ET70ZE6E 品牌：镁光封装： TFBGA 4000000B 2.7V 48Pin	完全替代	MICRON M29W320ET70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚	M29DW323DB70ZE6E和M29W320ET70ZE6E的区别
型号： M29W320DB70ZE6E 品牌：镁光封装： TFBGA	完全替代	NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray	M29DW323DB70ZE6E和M29W320DB70ZE6E的区别
型号： M29DW323DT70ZE6E 品牌：镁光封装： TFBGA 4000000B 2.7V 48Pin	完全替代	MICRON M29DW323DT70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚	M29DW323DB70ZE6E和M29DW323DT70ZE6E的区别