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ATP213-TL-H、TP213对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATP213-TL-H TP213

描述 N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorPower Field-Effect Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 -

无卤素状态 Halogen Free -

极性 N-CH -

耗散功率 50W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 60 V -

连续漏极电流(Ids) 50A -

上升时间 170 ns -

输入电容(Ciss) 3150pF @20V(Vds) -

下降时间 150 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50W (Tc) -

长度 6.5 mm -

宽度 7.3 mm -

高度 1.5 mm -

封装 TO-252-3 -

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -