ATP213-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 170 ns
输入电容Ciss 3150pF @20VVds
下降时间 150 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 7.3 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATP213-TL-H引脚图与封装图
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在线购买ATP213-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATP213-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号ATP213-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATP213-TL-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： TP213 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | ATP213-TL-H和TP213的区别 |