LM285BYM-1.2、LM385BYMX-1.2/NOPB、LM285BYMX-1.2/NOPB对比区别

高亮显示差异参数

型号 LM285BYM-1.2 LM385BYMX-1.2/NOPB LM285BYMX-1.2/NOPB

描述 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference DiodeLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeV-Ref Precision 1.235V 20mA 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.45 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

容差 - ±1 % -

输出电压 - 1.235 V -

输出电流 - 20 mA 20 mA

通道数 - 1 -

输出电压(Max) - 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) - 1.235 V -

输出电流(Max) - 20 mA -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

精度 - 20 mV -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -

温度系数 - ±50 ppm/℃ ±50 ppm/℃