LM285BYM-1.2
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National Semiconductor
美国国家半导体
主动器件
LM285BYM-1.2中文资料参数规格
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LM285BYM-1.2引脚图与封装图
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在线购买LM285BYM-1.2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LM285BYM-1.2 | National Semiconductor 美国国家半导体 | 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diode | 搜索库存 |
替代型号LM285BYM-1.2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LM285BYM-1.2 品牌： National Semiconductor 美国国家半导体 封装： SOIC | 当前型号 | 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diode | 当前型号 |
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| 型号： LM285BYM-1.2/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 1.24V 20mA | 功能相似 | 1.2V 至 2.3V### 电压参考，Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。 | LM285BYM-1.2和LM285BYM-1.2/NOPB的区别 |
| 型号： LM385BYMX-1.2/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 20mA | 功能相似 | LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode | LM285BYM-1.2和LM385BYMX-1.2/NOPB的区别 |