BCW33、BCW33LT1G、BCW33LT3G对比区别
描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR BCW33LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V 32.0 V
额定电流 500 mA 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.35 W 300 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW
频率 200 MHz - -
最大电流放大倍数(hFE) 800 800 -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 420 -
长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 2.64 mm
高度 0.93 mm 0.94 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99