
频率 200 MHz
额定电压DC 32.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCW33 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 32V 500mA 0.35W | 当前型号 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | 当前型号 | |
型号: BCW65CLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 32V 800mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCW65CLT1G 单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 32 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 100 hFE 新 | BCW33和BCW65CLT1G的区别 | |
型号: BCW32LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCW32LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE | BCW33和BCW32LT1G的区别 | |
型号: BCW33LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE | BCW33和BCW33LT1G的区别 |