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BCW33
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 0 描述与应用| NPN通用放大器 这个装置是专为通用应用在集电极电流为300mA。 •来源于进程0

BCW33中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 32.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 32 V

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCW33引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCW33 Fairchild 飞兆/仙童 NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier 搜索库存
替代型号BCW33
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCW33

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 32V 500mA 0.35W

当前型号

NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

当前型号

型号: BCW65CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 32V 800mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCW65CLT1G  单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 32 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 100 hFE 新

BCW33和BCW65CLT1G的区别

型号: BCW32LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

BCW33和BCW32LT1G的区别

型号: BCW33LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCW33LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE

BCW33和BCW33LT1G的区别