IPP530N15N3G、STP80NF10、IRFB4310PBF对比区别

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型号 IPP530N15N3G STP80NF10 IRFB4310PBF

描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON  IRFB4310PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 100 V, 5.6 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 80.0 A -

额定功率 - 300 W 330 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.012 Ω 0.0056 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 - 300 W 300 W

阈值电压 - 3 V 4 V

输入电容 - 5500 pF 7670 pF

漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 130A

上升时间 - 80 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 887pF @75V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 7670pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 68 W 300 W 300 W

下降时间 - 60 ns 78 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 68W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

长度 - 10.4 mm 10.66 mm

宽度 - 4.6 mm 4.82 mm

高度 - 9.15 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -