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IPP530N15N3G

IPP530N15N3G

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
IPP530N15N3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 150 V

输入电容Ciss 887pF @75VVds

额定功率Max 68 W

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPP530N15N3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP530N15N3G Infineon 英飞凌 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPP530N15N3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP530N15N3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO220-3 N-Channel

当前型号

OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

当前型号

型号: IPP072N10N3G

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-Channel

完全替代

100V,80A,N沟道功率MOSFET

IPP530N15N3G和IPP072N10N3G的区别

型号: SPP11N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 800V 11A

功能相似

INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

IPP530N15N3G和SPP11N80C3的区别

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IPP530N15N3G和STP80NF10的区别