
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 150 V
输入电容Ciss 887pF @75VVds
额定功率Max 68 W
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP530N15N3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPP530N15N3G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO220-3 N-Channel | 当前型号 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IPP072N10N3G 品牌: 英飞凌 封装: TO-220-3 N-Channel | 完全替代 | 100V,80A,N沟道功率MOSFET | IPP530N15N3G和IPP072N10N3G的区别 | |
型号: SPP11N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | IPP530N15N3G和SPP11N80C3的区别 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IPP530N15N3G和STP80NF10的区别 |