DMN1019UVT-13、DMN1019UVT-7对比区别

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型号 DMN1019UVT-13 DMN1019UVT-7

描述 MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26DMN1019UVT-7 编带

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-26-6

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1.73W (Ta) 1.73 W

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 10.7A 10.7A

上升时间 3.7 ns 3.7 ns

输入电容(Ciss) 2588pF @10V(Vds) 2588pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.73 W -

下降时间 11.6 ns 11.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1730 mW 1730 mW

通道数 - 1

漏源极电阻 - 7 mΩ

阈值电压 - 350 mV

漏源击穿电压 - 12 V

封装 TSOT-23-6 TSOT-26-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free