DMN1019UVT-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 1.73W Ta
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 10.7A
上升时间 3.7 ns
输入电容Ciss 2588pF @10VVds
额定功率Max 1.73 W
下降时间 11.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1730 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN1019UVT-13 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN1019UVT-13 品牌: Diodes 美台 封装: TSOT-26 N-CH 12V 10.7A | 当前型号 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | 当前型号 | |
型号: DMN1019UVT-7 品牌: 美台 封装: TSOT-26 N-CH 12V 10.7A | 功能相似 | DMN1019UVT-7 编带 | DMN1019UVT-13和DMN1019UVT-7的区别 |