DMN1019UVT-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN1019UVT-7中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.73 W
阈值电压 350 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 10.7A
上升时间 3.7 ns
输入电容Ciss 2588pF @10VVds
下降时间 11.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1730 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-26-6
外形尺寸
封装 TSOT-26-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN1019UVT-7引脚图与封装图
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在线购买DMN1019UVT-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN1019UVT-7 | Diodes 美台 | DMN1019UVT-7 编带 | 搜索库存 |
替代型号DMN1019UVT-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN1019UVT-7 品牌： Diodes 美台 封装： TSOT-26 N-CH 12V 10.7A | 当前型号 | DMN1019UVT-7 编带 | 当前型号 |
| 型号： DMN1019UVT-13 品牌： 美台 封装： TSOT-26 N-CH 12V 10.7A | 功能相似 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | DMN1019UVT-7和DMN1019UVT-13的区别 |