TLV2322ID、TLV2322IDRG4、LMC6462AIM/NOPB对比区别

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型号 TLV2322ID TLV2322IDRG4 LMC6462AIM/NOPB

描述 LinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSCMOS 运算放大器，LMC/LPC 系列### 运算放大器，Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - - 3V ~ 16V

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 20 µA 20 µA 50 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 65dB ~ 94dB 65dB ~ 94dB 70 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.50 µV/K

带宽 27 kHz 27.0 kHz 50 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 15.0 mV/μs

增益频宽积 0.085 MHz 85 kHz 0.05 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 250 µV

输入偏置电流 0.0000006μA @5V 0.6 pA 0.00000015μA @5V

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 85 kHz - 0.05 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 70 dB

电源电压 2V ~ 8V - 3V ~ 15.5V

电源电压(Max) 8 V 8 V 15.5 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 3 V

耗散功率 725 mW 0.725 W -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.9 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15