
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 107 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 28A
输入电容Ciss 1240pF @25VVds
额定功率Max 107 W
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PHB27NQ10T,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 100V 28A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PHB27NQ10T,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-CH 100V 28A | 当前型号 | D2PAK N-CH 100V 28A | 当前型号 | |
型号: PHB27NQ10T/T3 品牌: 恩智浦 封装: TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | PHB27NQ10T,118和PHB27NQ10T/T3的区别 | |
型号: FQB55N10TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: D2PAK N-Channel 100V 55mA 26mohms 2.1nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB55N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V | PHB27NQ10T,118和FQB55N10TM的区别 |