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PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PHB27NQ10T,118中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 107 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 28A

输入电容Ciss 1240pF @25VVds

额定功率Max 107 W

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHB27NQ10T,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PHB27NQ10T,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 100V 28A 搜索库存
替代型号PHB27NQ10T,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PHB27NQ10T,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-CH 100V 28A

当前型号

D2PAK N-CH 100V 28A

当前型号

型号: PHB27NQ10T/T3

品牌: 恩智浦

封装: TO-263-3

完全替代

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

PHB27NQ10T,118和PHB27NQ10T/T3的区别

型号: FQB55N10TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: D2PAK N-Channel 100V 55mA 26mohms 2.1nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V

PHB27NQ10T,118和FQB55N10TM的区别