FQPF17P06、STF12PF06、FQPF11P06对比区别

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型号 FQPF17P06 STF12PF06 FQPF11P06

描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETP沟道60V - 0.18欧姆 - 12A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFETQFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -12.0 A -12.0 A -11.4 A

漏源极电阻 120 mΩ 200 mΩ 175 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 39W (Tc) 60 W 30 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 8.00 A 8.30 A

上升时间 - 40 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 39 W - 30 W

下降时间 - 10 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 39W (Tc) 225W (Tc) 30W (Tc)

漏源击穿电压 - 60.0 V -

长度 - 10.4 mm 10.36 mm

宽度 - 4.6 mm 4.9 mm

高度 - 9.3 mm 16.07 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99