FQPF17P06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF17P06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
漏源极电阻 120 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 39W Tc
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输入电容Ciss 900pF @25VVds
额定功率Max 39 W
耗散功率Max 39W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF17P06引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF17P06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF17P06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 P-Channel 60V 12A 120mohms | 当前型号 | 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQPF11P06 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 P-Channel 60V 8.3A 175mohms | 类似代替 | QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 | FQPF17P06和FQPF11P06的区别 |
| 型号： STF12PF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP P-Channel 60V 8A 200mΩ | 功能相似 | P沟道60V - 0.18欧姆 - 12A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET | FQPF17P06和STF12PF06的区别 |