STF12PF06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
漏源极电阻 200 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 850pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF12PF06引脚图与封装图
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在线购买STF12PF06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF12PF06 | ST Microelectronics 意法半导体 | P沟道60V - 0.18欧姆 - 12A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STF12PF06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF12PF06 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220FP P-Channel 60V 8A 200mΩ | 当前型号 | P沟道60V - 0.18欧姆 - 12A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET | 当前型号 |
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