MUN5212DW1T1G、PUMH17,115、MUN5212DW1T1对比区别

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型号 MUN5212DW1T1G PUMH17,115 MUN5212DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5212DW1T1G.  晶体管PUMH17 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SOT-363-6 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN Dual N-Channel

耗散功率 0.385 W 0.3 W 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 300 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 300 mW 385 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

高度 - 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-363 SOT-363-6 SOT-363

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -