PUMH17,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMH17,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PUMH17,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMH17,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMH17,115 | NXP 恩智浦 | PUMH17 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMH17,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMH17,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-88 NPN 300mW | 当前型号 | PUMH17 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： MUN5212DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5212DW1T1G. 晶体管 | PUMH17,115和MUN5212DW1T1G的区别 |
| 型号： PUMH10,115 品牌： 安世 封装： 6-TSSOP | 功能相似 | PUMH10 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/NPN 带电阻 晶体管 - SOT-363 | PUMH17,115和PUMH10,115的区别 |