PUMH1、PUMH1,115、MUN5212DW1T1G对比区别

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型号 PUMH1 PUMH1,115 MUN5212DW1T1G

描述 NXP  PUMH1  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363NXP  PUMH1,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363ON SEMICONDUCTOR  MUN5212DW1T1G.  晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-363

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 200 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 60 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 300 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 385 mW

针脚数 6 6 -

直流电流增益(hFE) 60 60 -

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-363

高度 - 1 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99