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PUMH1
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PUMH1  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363

The is a dual NPN Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.

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Built-in bias resistors
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Simplifies circuit design
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Reduces component count
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PUMB1 dual PNP complement
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PUMD2 NPN-PNP complement
PUMH1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PUMH1引脚图与封装图
PUMH1引脚图

PUMH1引脚图

PUMH1封装图

PUMH1封装图

PUMH1封装焊盘图

PUMH1封装焊盘图

在线购买PUMH1
型号 制造商 描述 购买
PUMH1 NXP 恩智浦 NXP  PUMH1  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 搜索库存
替代型号PUMH1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PUMH1

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-363 NPN 200mW

当前型号

NXP  PUMH1  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363

当前型号

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