
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17

PUMH1引脚图

PUMH1封装图

PUMH1封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PUMH1 | NXP 恩智浦 | NXP PUMH1 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PUMH1 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-363 NPN 200mW | 当前型号 | NXP PUMH1 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | 当前型号 | |
型号: BCR133S 品牌: 英飞凌 封装: | 类似代替 | BCR133S 复合带阻尼NPN三极管 50V 0.1A R1=R2=10KΩ 130MHZ SOT363 代码 WC | PUMH1和BCR133S的区别 | |
型号: MUN5212DW1T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5212DW1T1G. 晶体管 | PUMH1和MUN5212DW1T1G的区别 | |
型号: PUMH1,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-363 NPN 300mW | 功能相似 | NXP PUMH1,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | PUMH1和PUMH1,115的区别 |