FDS6298、IRF8721PBF、SI4686DY-T1-E3对比区别

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型号 FDS6298 IRF8721PBF SI4686DY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6298  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRF8721PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 2.35 VVISHAY  SI4686DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 13.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0074 Ω 0.0085 Ω 0.0078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 2.5 W 5.2 W

阈值电压 1.7 V 2.35 V 3 V

输入电容 1.11 nF 1040pF @15V -

栅电荷 10.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 14A 18.2 A

上升时间 5 ns 11 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1108pF @15V(Vds) 1040pF @15V(Vds) 1220pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.2 W - -

下降时间 7 ns 7 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta) 3000 mW

额定功率 - 2.5 W -

长度 4.9 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -