FDS6298
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6298中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0074 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 1.11 nF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1108pF @15VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6298引脚图与封装图
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在线购买FDS6298
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6298 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6298 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6298
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6298 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 13A 7.4mohms 1.11nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6298 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： IRF8721PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 14A | 功能相似 | INFINEON IRF8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 2.35 V | FDS6298和IRF8721PBF的区别 |
| 型号： SI4686DY-T1-E3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel 30V 18.2A | 功能相似 | VISHAY SI4686DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V | FDS6298和SI4686DY-T1-E3的区别 |
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