SI4686DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18.2 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1220pF @15VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4686DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4686DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4686DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4686DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SI4686DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4686DY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 30V 18.2A | 当前型号 | VISHAY SI4686DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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| 型号： FDS6298 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 13A 7.4mohms 1.11nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6298 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 V | SI4686DY-T1-E3和FDS6298的区别 |