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PEMD4、PEMH10,115、NSBC114YPDXV6T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMD4 PEMH10,115 NSBC114YPDXV6T1G

描述 NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 =开放 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.05 电阻比率ON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-666 SOT-666 SOT-563-6

耗散功率 - 0.3 W 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 300 mW 500 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 500 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

极性 NPN+PNP - NPN, PNP

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

封装 SOT-666 SOT-666 SOT-563-6

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99