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NXP 恩智浦 电子元器件分类
PEMD4中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PEMD4引脚图与封装图
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在线购买PEMD4
型号 制造商 描述 购买
PEMD4 NXP 恩智浦 NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 =开放 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open 搜索库存
替代型号PEMD4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PEMD4

品牌: NXP 恩智浦

封装:

当前型号

NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 =开放 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open

当前型号

型号: PEMH10,115

品牌: 安世

封装: SOT-666

类似代替

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.05 电阻比率

PEMD4和PEMH10,115的区别

型号: PEMH7,115

品牌: 安世

封装:

类似代替

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

PEMD4和PEMH7,115的区别

型号: NSBC114YPDXV6T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563

PEMD4和NSBC114YPDXV6T1G的区别