STB23NM60N、STP55NF06、STD15NF10T4对比区别

高亮显示差异参数

型号 STB23NM60N STP55NF06 STD15NF10T4

描述 N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

耗散功率 150W (Tc) 30 W 70 W

漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 100 V

输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V 100 V

额定电流 - 50.0 A 23.0 A

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.015 Ω 0.065 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 23.0 A

上升时间 - 50 ns 45 ns

额定功率(Max) - 110 W 70 W

下降时间 - 15 ns 17 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 - 10.4 mm 6.6 mm

宽度 - 4.6 mm 6.2 mm

高度 - 9.15 mm 2.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99