STB23NM60N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB23NM60N引脚图与封装图
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在线购买STB23NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB23NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB23NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB23NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK | 当前型号 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STB25NM60N 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 600V 21A 140mohms 2.54nF | 类似代替 | N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 | STB23NM60N和STB25NM60N的区别 |
| 型号： STB25NM60NT4 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-CH 600V 21A | 类似代替 | D2PAK N-CH 600V 21A | STB23NM60N和STB25NM60NT4的区别 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STB23NM60N和STP55NF06的区别 |