MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NR1、MRF6V2300NBR1对比区别

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型号 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NR1 MRF6V2300NBR1

描述 RF Power Transistor,470 to 1215MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1735RF Power Transistor,470 to 1215MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1736NXP MRF6V2300NBR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-272

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Flange

引脚数 5 5 4

封装 TO-270-4 TO-270 TO-272

频率 860 MHz 860 MHz 220 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 18 W 18 W 300 W

增益 22 dB 22 dB 25.5 dB

测试电流 350 mA 350 mA 900 mA

输入电容(Ciss) 591pF @50V(Vds) 591pF @50V(Vds) 268pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 110 V 110 V 110 V

电源电压 50 V 50 V 50 V

额定电流 - - 2.5 mA

耗散功率 - - 300 W

漏源极电压(Vds) - 110 V 110 V

漏源击穿电压 - - 110V (min)

连续漏极电流(Ids) - - 2.50 mA

封装 TO-270-4 TO-270 TO-272

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

重量 - 1646.35 mg -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -